| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 58A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 30.8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +21V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4580 pF @ 500 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 312W |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Package / Case | TO-247-4 |
关于 SCT4013DRC15
SCT4013DRC15 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SCT4013DRC15 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（16.9mOhm @ 58A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.8V @ 30.8mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（170 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+21V, -4V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（4580 pF @ 500 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
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SCT4013DRC15 是由 罗姆半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
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